 |
F3
|
|---|
| Зачем использовать транзисторы большой мощности JFET, спросите вы? Разве нам не хватает традиционных транзисторов? У нас и на самом деле большой выбор приборов, но транзисторы большой мощности JFET обеспечивают некоторые конкретные преимущества, которые мы не сможем получить в любом другом случае. |
 |
| Для начала можно отметить, что при сравнении с сопоставимыми приборами с заданным током смещения транзисторы большой мощности JFET обеспечивают намного более низкий уровень искажений. Первоначальная схема модели F3 была спроектирована с использованием транзисторов MOSFET, и при сравнении соответствующих параметров отмечалось, что уровень искажений у транзисторов большой мощности JFET был в пять раз меньше уровня искажений у транзисторов MOSFET. |
 |
| И это только начало. У транзистора JFET намного меньший уровень искажений при работе, чем у транзистора MOSFET, и он — не MOSFET, поэтому его характеристики позволяют добиться даже лучших эксплуатационных показателей, если он будет определять нагрузочную линию усилителя, — примерно так же, как это практикуется в проектировании ламп. Чтобы это реализовать, я разработал Модулированный Каскод ™, который позволяет получать произвольные коэффициенты усиления по напряжению и току (нагрузочная линия) независимо от фактических величин нагрузки и реактивного сопротивления. |
 |
| В последние годы были достигнуты успехи в разработке вертикальных транзисторов JFET, что обеспечивает более целесообразное их использование в переключающих устройствах; в результате транзисторы большой мощности JFET вновь начали использоваться после тридцатилетнего перерыва. В этом году я уже опубликовал "Вариации на тему дзен №8 – усилитель на транзисторах большой мощности JFET", и теперь "First Watt" представляет модель F3 (которая была представлена в качестве единственного имеющегося в продаже усилителя с использованием транзисторов большой мощности JFET). Трудновато поверить, что такой простой маленький усилитель может обеспечить настолько низкий уровень искажений как 0.003% на мощности 1 Ватт при нагрузке 8 Ом. |
СПЕЦИФИКАЦИЯ |
|---|
| Стерео усилитель мощности Выходная мощность на 8 Ом, 15 Вт @ 0,2% THD, 1кГц Выходная мощность на 4 Ом, 10 Вт @ 1% THD, 1кГц Входное сопротивление, 10 кОм Входная чувствительность, 650мВ @ 1 Вт @ 8Ом Частотный диапазон, 1,5Гц-75кГц (-3дБ) Коэффициент искажений, 0,01% @ 1 Вт @ 1кГц Уровень шума, 100 мВ невзвешенный, 20-20 кГц Коэффициент усиления, 1,5 дБ | Дампинг фактор, 6 Потребляемая мощность, 200Вт Тип полупроводника, JFET транзистор Схема усиления, Однотактная SE Обратная связь, есть Вход, RCA Размеры 355 х 381 х 127 мм Вес 14 кг |